Nature.com сайтына кергәнегез өчен рәхмәт. Сез кулланган браузерның версиясе чикләнгән CSS ярдәме. Иң яхшы нәтиҗәләр өчен без сезнең браузерның яңа версиясен кулланырга киңәш итәбез (яки Internet Explorer'та туры килү режимын сүндерегез). Шул ук вакытта, дәвамлы ярдәмне тәэмин итү өчен, без сайтны стилизациясез яки JavaScript күрсәтмибез.
Наноскаль графит фильмнар (NGFs) - каты наноматериаллар, алар катализатор химик пар парламенты белән ясалырга мөмкин, ләкин аларның күчү җиңеллеге һәм өске морфология киләсе буын җайланмаларында куллануга ничек тәэсир итә. Монда без поликристалл никель фольгасының ике ягында NGF үсеше турында хәбәр итәбез (мәйданы 55 см2, калынлыгы 100 нм тирәсе) һәм полимерсыз күчү (алгы һәм арткы, мәйданы 6 см2). Катализатор фольга морфологиясе аркасында, ике углерод пленкасы физик үзенчәлекләре һәм башка характеристикалары белән аерылып тора (мәсәлән, өслекнең тупаслыгы). Без күрсәтәбез, арткы ягы булган NGFлар NO2 ачыклау өчен бик яраклы, ә алгы ягында йомшак һәм үткәргеч NGFлар (2000 S / см, таблицага каршы тору - 50 охм / м2) үткәргеч үткәргеч була ала. кояш күзәнәгенең каналы яки электроды (ул күренгән яктылыкның 62% җибәрә). Гомумән алганда, тасвирланган үсеш һәм транспорт процесслары NGF-ны технологик кушымталар өчен альтернатив углерод материалы итеп аңларга булыша ала, анда графен һәм микрон калынлы графит фильмнары яраксыз.
Графит - киң кулланылган сәнәгать материалы. Шунысы игътибарга лаек, графит чагыштырмача түбән масса тыгызлыгына, самолеттагы җылылык һәм электр үткәрүчәнлегенә ия, һәм каты җылылык һәм химик мохиттә бик тотрыклы1,2. Флейк графиты - графен тикшеренүләре өчен билгеле башлангыч материал3. Нечкә фильмнарда эшкәртелгәндә, ул бик күп кушымталарда кулланылырга мөмкин, шул исәптән смартфоннар 4,5,6,7 кебек электрон җайланмалар өчен җылыткычлар, сенсорларда актив материал буларак, 8,9,10 һәм электромагнит интерфейсларын саклау өчен11. 12 һәм экстремаль ультрафиолет 13,14 литографиясе өчен фильмнар, кояш күзәнәкләрендә каналлар үткәрү15,16. Бу кушымталарның барысы өчен дә, наноскалда <100 нм калынлыктагы контроль булган графит фильмнарның зур өлкәләре җиңел җитештерелергә һәм ташылырга мөмкин булса, бу зур өстенлек булыр иде.
Графит фильмнар төрле ысуллар белән ясала. Бер очракта, графен плиткаларын чыгару өчен, урнаштыру һәм киңәйтү, аннары эксфолиация кулланылды10,11,17. Плиткалар кирәкле калынлыктагы фильмнарда эшкәртелергә тиеш, һәм тыгыз графит таблицаларын чыгару өчен еш кына берничә көн кирәк. Тагын бер алым - график каты прекурсорлардан башлау. Промышленностьта полимерлар таблицалары карбонлаштырылган (1000-1500 ° C), аннары графиклаштырылган (2800–3200 ° C), яхшы структуралы катлам материаллар формалаштыру өчен. Бу фильмнарның сыйфаты югары булса да, энергия куллану 1,18,19 һәм минималь калынлыгы берничә микрон белән чикләнә1,18,19,20.
Каталитик химик пар парламенты (CVD) - югары структур сыйфаты һәм бәясе 21,22,23,24,25,26,27 булган графен һәм ультратин графит фильмнары (<10 nm) җитештерү өчен билгеле ысул. Ләкин, графен һәм ультратин графит фильмнары үсеше белән чагыштырганда, зур мәйданлы үсеш һәм / яки CVD кулланып NGF куллану тагын да азрак тикшерелә11,13,29,30,31,32,33.
CVD үскән графен һәм графит фильмнарны еш функциональ субстратларга күчерергә кирәк34. Бу нечкә кино трансфертлары ике төп ысулны үз эченә ала35: Eachәрбер ысулның кайбер өстенлекләре һәм кимчелекләре бар, һәм бүтән урында сурәтләнгәнчә, кулланылган кушымтага карап сайланырга тиеш35,39. Каталитик субстратларда үскән графен / графит фильмнар өчен дымлы химик процесслар аша күчү (алардан полиметил метакрилат (PMMA) иң еш кулланыла торган ярдәм катламы) беренче сайлау булып кала13,30,34,38,40,41,42. Сез һ.б. NGF тапшыру өчен бер полимер да кулланылмады (үрнәк күләме якынча 4 см2) 25,43, ләкин күчерү вакытында үрнәк тотрыклылыгы һәм / яки эшкәртү турында бернинди мәгълүмат бирелмәгән; Полимерлар ярдәмендә дымлы химия процесслары берничә этаптан тора, шул исәптән корбан полимер катламын куллану һәм соңрак бетерү 30,38,40,41,42. Бу процессның кимчелекләре бар: мәсәлән, полимер калдыклары үскән фильмның үзлекләрен үзгәртә ала38. Өстәмә эшкәртү калдык полимерны бетерә ала, ләкин бу өстәмә адымнар кино җитештерү бәясен һәм вакытын арттыра38,40. CVD үсеше вакытында графен катламы катализатор фольгасының алгы ягына гына түгел, ә пар ягына да урнаштырыла. Ләкин соңгысы калдык продукты булып санала һәм йомшак плазма белән тиз арада бетерелергә мөмкин 38,41. Бу фильмны эшкәртү, углерод пленкасына караганда түбән сыйфатлы булса да, уңышны арттырырга ярдәм итә ала.
Монда, без CVD поликристалл никель фольгасында югары структур сыйфаты булган NGF-ның вафер масштаблы бифациаль үсешен әзерлибез. Фольга алгы һәм арткы өслегенең тупаслыгы NGF морфологиясенә һәм структурасына ничек тәэсир ителде. Без шулай ук чыгымлы һәм экологик чиста полимерсыз NGF никель фольгасының ике ягыннан күп функцияле субстратларга күчерелүен күрсәтәбез, алгы һәм арткы фильмнарның төрле кушымталар өчен яраклы булуын күрсәтәбез.
Киләсе бүлекләрдә графен катламнары санына карап төрле графит фильм калынлыклары карала: (i) бер катлы графен (SLG, 1 катлам), (ii) берничә катлы графен (FLG, <10 катлам), (iii) күпкатлы графен ( MLG, 10-30 катлам) һәм (iv) NGF (~ 300 катлам). Соңгысы - иң киң таралган калынлык, мәйдан процентында күрсәтелгән (100 мм2 өчен якынча 97% мәйдан) 30. Шуңа күрә бөтен фильм NGF дип атала.
Графен һәм графит фильмнарын синтезлау өчен кулланылган поликристалл никель фольгасы аларны җитештерү һәм соңрак эшкәртү нәтиҗәсендә төрле текстураларга ия. Күптән түгел без NGF30 үсеш процессын оптимальләштерү өчен тикшерү турында хәбәр иттек. Без күрсәтәбез, үсеш этапларында анналь вакыт һәм камера басымы кебек процесс параметрлары бердәм калынлыктагы NGF алуда мөһим роль уйныйлар. Монда без тагын да NGF үсешен тикшердек, фронтта (FS) һәм никель фольгасының полосасыз арткы (BS) өслегендә (1а рәсем). Өч төр FS һәм BS үрнәкләре тикшерелде, 1-нче таблицада күрсәтелде. Визуаль тикшерүдән соң, никель фольгасының (NiAG) ике ягында NGFның бертөрле үсүе характерлы металл көмештән Ni субстратының төс үзгәрүе белән күренә. соры төстә соры төс (1а рәсем); микроскопик үлчәүләр расланды (1б рәсем, в). FS-NGF типик Раман спектры якты төбәктә күзәтелә һәм 1б рәсемдә кызыл, зәңгәрсу һәм кызгылт сары уклар белән күрсәтелә. Графит G (1683 см - 1) һәм 2D (2696 см - 1) характерлы Раман югары кристалл NGF үсешен раслый (1с рәсем, SI1 таблицасы). Фильм дәвамында интенсивлык коэффициенты (I2D / IG) ~ 0.3 булган Раман спектрының өстенлеге күзәтелде, I2D / IG = 0.8 булган Раман спектры бик сирәк күзәтелде. Бөтен фильмда җитешсезлекләр (D = 1350 см-1) булмау NGF үсешенең югары сыйфатын күрсәтә. Охшаш Раман нәтиҗәләре BS-NGF үрнәгендә алынган (SI1 a һәм b, SI1 таблицасы).
NiAG FS- һәм BS-NGF чагыштыру: а) типик NGF (NiAG) үрнәгенең фотосурәте (55 см2) һәм нәтиҗәдә BS- һәм FS-Ni фольга үрнәкләре, (b) FS-NGF Оптик микроскоп ярдәмендә алынган рәсемнәр / в) типик Раман спектры б панельдә төрле позицияләрдә язылган, (d, f) SEM рәсемнәре FS-NGF / Ni, (e, g) SEM рәсемнәре төрле зурлыкта BS -NGF / Ni. Зәңгәр ук FLG өлкәсен күрсәтә, кызгылт сары ук MLG өлкәсен күрсәтә (FLG өлкәсе янында), кызыл ук NGF өлкәсен күрсәтә, һәм тылсымлы ук катламны күрсәтә.
Growthсеш башлангыч субстратның калынлыгына, кристалл зурлыгына, ориентациясенә, ашлык чикләренә бәйле булганлыктан, зур мәйданнарда NGF калынлыгын акыллы контрольдә тоту 20,34,44 проблема булып кала. Бу тикшерү без элек бастырган эчтәлекне кулланды30. Бу процесс 100 µm230 өчен 0,1 - 3% якты төбәк җитештерә. Киләсе бүлекләрдә без ике төр регион өчен дә нәтиҗәләр тәкъдим итәбез. EMгары зурайту SEM рәсемнәре ике якта берничә якты контраст өлкәләрнең булуын күрсәтәләр (1ф, г), FLG һәм MLG өлкәләренең булуын күрсәтәләр30,45. Бу шулай ук Раманның таралуы (1с рәсем) һәм TEM нәтиҗәләре белән расланды (соңрак "FS-NGF: структурасы һәм үзлекләре" бүлегендә карала). FS- һәм BS-NGF / Ni үрнәкләрендә күзәтелгән FLG һәм MLG регионнары (Ni өстендә үскән NGF) зур Ni (111) бөртекләрендә үскән булырга мөмкин22,30,45. Катлау ике ягында да күзәтелде (1б рәсем, куе кызыл уклар белән билгеләнгән). Бу катламнар еш CVD үскән графеннарда һәм графит фильмнарда очрый, графит белән никель субстратлары арасында җылылык киңәю коэффициентының зур аермасы аркасында.
AFM рәсеме FS-NGF үрнәгенең BS-NGF үрнәгенә караганда яссы булуын раслады (SI1 рәсем) (SI2 рәсем). Тамыр уртача квадрат (RMS) FS-NGF / Ni (рәсем SI2c) һәм BS-NGF / Ni (рәсем SI2d) тиешенчә 82 һәм 200 нм (20 × мәйданда үлчәнәләр). 20 μm2). Higherгары тупаслыкны кабул ителгән хәлдә никель (NiAR) фольгасын анализлау нигезендә аңларга мөмкин (SI3 рәсем). FS һәм BS-NiARның SEM рәсемнәре SI3a - d рәсемнәрендә күрсәтелгән, төрле өслек морфологияләрен күрсәтәләр: чистартылган FS-Ni фольгасында нано- һәм микрон зурлыктагы сферик кисәкчәләр бар, полосасыз BS-Ni фольгасы җитештерү баскычын күрсәтә. югары көчле кисәкчәләр. һәм кимү. Никель фольгасының (NiA) түбән һәм югары резолюцияле рәсемнәре SI3e - h рәсемдә күрсәтелгән. Бу саннарда без никель фольгасының ике ягында берничә микрон размерлы никель кисәкчәләренең булуын күзәтә алабыз (SI3e - h). Зур бөртекләр Ni (111) өслек юнәлешенә ия булырга мөмкин, алдан хәбәр ителгәнчә 30,46. FS-NiA һәм BS-NiA арасында никель фольга морфологиясендә зур аермалар бар. BS-NGF / Ni-ның югарырак булуы BS-NiAR полосасы булмаган өслектән тора, аның өслеге аннальланганнан соң да шактый тупас булып кала (SI3 рәсем). Processсеш процессы алдыннан бу төр өслек характеристикасы графен һәм графит фильмнарның тупаслыгын контрольдә тотарга мөмкинлек бирә. Әйтергә кирәк, оригиналь субстрат графен үсү вакытында кайбер ашлыкны үзгәртеп кору үткән, бу ашлык күләмен бераз киметкән һәм аннальланган фольга һәм катализатор фильм белән чагыштырганда субстратның өслек тупаслыгын бераз арттырган22.
Субстрат өслегенең тупаслыгын көйләү, аннальлау вакыты (ашлык күләме) 30,47 һәм чыгару контроле43 региональ NGF калынлыгының µm2 һәм / яки хәтта nm2 масштабына кадәр киметергә ярдәм итәчәк (ягъни берничә нанометр калынлыгы үзгәрү). Субстратның өслегенең тупаслыгын контрольдә тоту өчен, никель фольгасын электролитик бизәү кебек ысуллар каралырга мөмкин48. Алдан ясалган никель фольгасы түбән температурада (<900 ° C) 46 һәм вакыт (<5 мин) белән зур Ni (111) бөртекләре барлыкка килмәсен өчен (бу FLG үсеше өчен файдалы) ябыштырылырга мөмкин.
SLG һәм FLG графен кислоталарның һәм су өслегенең киеренкелегенә каршы тора алмый, дымлы химик тапшыру процессларында механик ярдәм катламнарын таләп итә22,34,38. Полимер ярдәмендә бер катлы графенның дымлы химик күчерүеннән аермалы буларак, без үскән NGFның ике ягын да полимер ярдәмсез күчереп була, 2а рәсемдә күрсәтелгәнчә (тулырак мәгълүмат өчен SI4a рәсемен карагыз). НГФны бирелгән субстратка күчү Ni30.49 фильмының дымлы эфирыннан башлана. Nскән NGF / Ni / NGF үрнәкләре төнлә 15 мл 70% HNO3 600 мл деонизацияләнгән (DI) су белән эретелгән. Ni фольгасы тулысынча эреп беткәч, FS-NGF яссы булып кала һәм сыеклык өстендә йөзә, NGF / Ni / NGF үрнәге кебек, BS-NGF суга чумган (2а рәсем, б). Изоляцияләнгән NGF аннары яңа деонизацияләнгән су булган бер чүкечтән икенче чүкечкә күчерелде һәм изоляцияләнгән NGF яхшылап юылды, конвейк пыяла савыт аша дүрт-алты тапкыр кабатланды. Ниһаять, FS-NGF һәм BS-NGF кирәкле субстратка урнаштырылды (2с рәсем).
Никель фольгасында үскән NGF өчен полимерсыз дымлы химик тапшыру процессы: а) процесс агымы схемасы (тулырак мәгълүмат өчен SI4 рәсемен карагыз), б) Ni эфирыннан соң аерылган NGFның санлы фотосы (2 үрнәк), в) Мисал FS - һәм BS-NGF SiO2 / Si субстратына күчү, (d) FS-NGF ачык булмаган полимер субстратка күчү, (e) BS-NGF d панель белән бер үк үрнәктән (ике өлешкә бүленгән), алтын капланган C кәгазенә күчерелгән. һәм Nafion (сыгылмалы үтә күренмәле субстрат, кызыл почмаклар белән билгеләнгән кырлар).
Игътибар итегез, дымлы химик тапшыру ысуллары ярдәмендә башкарылган SLG тапшыру 20–24 сәгать 38 эшкәртү вакытын таләп итә. Монда күрсәтелгән полимерсыз тапшыру техникасы белән (SI4a рәсем), NGF тапшыруның гомуми эшкәртү вакыты сизелерлек кими (якынча 15 сәгать). Процесс түбәндәгеләрдән гыйбарәт: . деонизацияләнгән суда саклагыз яки максатлы субстратка күчерегез (20 мин). NGF белән күпчелек матрица арасында капланган су капиллярлы хәрәкәт белән чыгарыла (блотинг кәгазе ярдәмендә) 38, аннары калган су тамчылары табигый киптерү белән чыгарыла (якынча 30 мин), һәм ниһаять, үрнәк 10 минутка киптерелә. мин вакуумлы мичтә (10–1 мбар) 50–90 ° C (60 мин) 38.
Графит билгеле, югары температурада (≥ 200 ° C) 50,51,52 су һәм һава булуына каршы тора. Без Раман спектроскопиясе, SEM, XRD ярдәмендә үрнәкләрне сынадык, бүлмә температурасында һәм мөһерләнгән шешәләрдә берничә көннән алып бер елга кадәр (SI4 рәсем). Күренекле деградация юк. 2-нче рәсемдә деонизацияләнгән суда ирекле FS-NGF һәм BS-NGF күрсәтелгән. Аларны SiO2 (300 nm) / Si субстратында төшердек, рәсем 2c башында күрсәтелгәнчә. Өстәвенә, 2d, e рәсемендә күрсәтелгәнчә, өзлексез NGF полимерлар (Нексолве һәм Нафионнан термабрайт полиамид) һәм алтын белән капланган углерод кәгазе кебек төрле субстратларга күчерелергә мөмкин. Йөзүче FS-NGF максатлы субстратка җиңел урнаштырылды (2с рәсем, г). Ләкин, 3 см2-тан зуррак BS-NGF үрнәкләрен тулысынча суга батырганда эшкәртү авыр иде. Гадәттә, алар суда әйләнә башлагач, ваемсыз эш аркасында алар кайвакыт ике-өч өлешкә бүленәләр (2-нче рәсем). Гомумән алганда, без PS- һәм BS-NGF полимерсыз күчерүгә ирешә алдык (NGF / Ni / NGF үсешсез 6 см2) өзлексез күчерү) 6 һәм 3 см2 кадәр булган үрнәкләр өчен. Калган зур яки кечкенә кисәкләрне (эремчек эремәсендә яки деонизацияләнгән суда җиңел күрергә) кирәкле субстратта күрергә мөмкин (mm 1 мм2, SI4b рәсем, бакыр челтәргә күчерелгән үрнәкне карагыз, "FS-NGF: Структура һәм үзлекләр (фикер алышу)) "Структура һәм үзлекләр" астында) яки киләчәктә куллану өчен кибет (SI4 рәсем). Бу критерийга нигезләнеп, без фаразлыйбыз, NGF 98-99% га кадәр уңышта (күчерү өчен үсештән соң) кайтарыла ала.
Полимерсыз күчерү үрнәкләре җентекләп анализланды. Оптик микроскопия (OM) һәм SEM рәсемнәрен кулланып FS- һәм BS-NGF / SiO2 / Si (2 нче рәсем) өстендә алынган морфологик үзенчәлекләр бу үрнәкләрнең микроскопиясез күчерелүен күрсәтте. Ярыклар, тишекләр яки язылмаган урыннар кебек күренеп торган структур зыян. Күчерелгән NGF өстендәге катламнар (рәсем 3б, г, куе кызыл уклар белән билгеләнгән) күчерелгәннән соң сакланып калган. FS- һәм BS-NGFлар икесе дә FLG өлкәләреннән тора (3 нче рәсемдә зәңгәр уклар белән күрсәтелгән якты төбәкләр). Гаҗәп, ультратин графит фильмнарын полимер күчерү вакытында күзәтелгән берничә зыян күргән төбәктән аермалы буларак, NGF белән тоташкан берничә микрон размерлы FLG һәм MLG өлкәләре ярыклар яки тәнәфесләрсез күчерелде (3d рәсем) . 3). . Соңрак тикшерелгәнчә ("FS-NGF: Структура һәм үзлекләр") NGF-ның TEM һәм SEM рәсемнәрен кулланып, механик бөтенлек тагын да расланды. Күчерелгән BS-NGF / SiO2 / Si FS-NGF / SiO2 / Si белән чагыштырганда катырак, rms кыйммәтләре 140 nm һәм 17 nm, SI6a һәм b рәсемендә күрсәтелгәнчә (20 × 20 μm2). SiO2 / Si субстратына (RMS <2 nm) күчерелгән NGFның RMS кыйммәте Ni өстендә үскән NGF бәясеннән шактый түбән (якынча 3 тапкыр), бу өстәмә тупаслык Ni өслегенә туры килүен күрсәтә. Моннан тыш, FS- һәм BS-NGF / SiO2 / Si үрнәкләрендә AFM рәсемнәре NGF калынлыкларын тиешенчә 100 һәм 80 нм күрсәттеләр (SI7 рәсем). BS-NGF кечерәк калынлыгы өслекнең прекурсор газына турыдан-туры тәэсир итмәве нәтиҗәсе булырга мөмкин.
SiO2 / Si ваферында полимерсыз NGF (NiAG) күчерелгән (2 нче рәсемне кара): (а, б) FS-NGF күчерелгән SEM рәсемнәре: түбән һәм югары зурайту (панельдәге кызгылт сары мәйданга туры килә). Типик өлкәләр) - а). (в, г) күчерелгән BS-NGFның SEM рәсемнәре: түбән һәм югары зурайту (в панельдә кызгылт сары квадрат күрсәткән типик мәйданга туры килә). (e, f) күчерелгән FS- һәм BS-NGFларның AFM рәсемнәре. Зәңгәр ук FLG өлкәсен күрсәтә - якты контраст, циан ук - кара MLG контраст, кызыл ук - кара контраст NGF өлкәсен, тылсымлы ук катламны күрсәтә.
Fскән һәм күчерелгән FS- һәм BS-NGFларның химик составы рентген фотоэлектрон спектроскопия (XPS) белән анализланган (4 нче рәсем). Зәгыйфь чокыр үлчәнгән спектрда күзәтелде (4а рәсем, б), үскән FS- һәм BS-NGFs (NiAG) Ни субстратына туры килә (850 eV). Күчерелгән FS- һәм BS-NGF / SiO2 / Si үлчәнгән спектрда иң югары нокталар юк (4с рәсем; BS-NGF / SiO2 / Si өчен охшаш нәтиҗәләр күрсәтелми), күчерелгәннән соң Ni калдыклары юклыгын күрсәтә. . 4d - f рәсемнәрендә FS-NGF / SiO2 / Si энергия дәрәҗәләренең C 1 s, O 1 s һәм Si 2p югары резолюция спектры күрсәтелә. С 1 с графитның бәйләүче энергиясе 284,4 eV53.54. Графит чокырларының сызыклы формасы, гадәттә, асимметрик дип санала, рәсем 4d54. 1гары резолюцияле үзәк дәрәҗәдәге C 1 s спектры (4d рәсем) шулай ук саф күчерүне раслады (ягъни полимер калдыклары юк), бу алдагы тикшеренүләргә туры килә38. Яңа үскән үрнәкнең (NiAG) C 1 s спектрының сызык киңлекләре, тиешенчә, 0,55 һәм 0,62 eV. Бу кыйммәтләр SLGныкыннан югарырак (SiO2 субстратында SLG өчен 0,49 eV) 38. Ләкин, бу кыйммәтләр югары юнәлешле пиролитик графен үрнәкләре өчен алдан хәбәр ителгән линейид киңлекләреннән кечерәк (~ 0.75 eV) 53,54,55, бу хәзерге материалда җитешсез углерод мәйданнары юклыгын күрсәтә. C 1 s һәм O 1 s җир асты спектрында да җилкәләр җитми, югары резолюцияле деконволюция кирәклеген бетерә54. 291.1 eV тирәсендә π → π * спутникның иң югары ноктасы бар, ул еш кына графит үрнәкләрендә күзәтелә. Si 2p һәм O 1 s үзәк дәрәҗә спектрындагы 103 eV һәм 532.5 eV сигналлары (4e рәсемен кара), SiO2 56 субстратына тиеш. XPS - өслеккә сизгер техника, шуңа күрә NGF күчерү алдыннан һәм аннан соң ачыкланган Ni һәм SiO2 сигналлары, FLG өлкәсеннән килеп чыккан дип фараз ителә. Күчерелгән BS-NGF үрнәкләре өчен охшаш нәтиҗәләр күзәтелде (күрсәтелмәгән).
NiAG XPS нәтиҗәләре: (ac) FS-NGF / Ni, BS-NGF / Ni үскән һәм FS-NGF / SiO2 / Si күчерелгән төрле элементлы атом композицияләрен тикшерү спектры. (d - f) FS-NGF / SiO2 / Si үрнәгенең C 1 s, O 1s һәм Si 2p үзәк дәрәҗәләренең югары резолюция спектры.
Күчерелгән NGF кристаллларының гомуми сыйфаты рентген дифракция (XRD) ярдәмендә бәяләнде. Күчерелгән FS- һәм BS-NGF / SiO2 / Si типик XRD үрнәкләре (графикага охшаган 26,6 ° һәм 54,7 °) дифракциянең иң югары булуын күрсәтәләр (0 0 0 2) һәм (0 0 0 4). . Бу NGF-ның югары кристалл сыйфатын раслый һәм күчерү адымыннан соң сакланган d = 0.335 nm аралар арасына туры килә. Дифракциянең иң югары интенсивлыгы (0 0 0 2) дифракциянең иң югары дәрәҗәсеннән 30 тапкырга күбрәк (0 0 0 4), бу NGF кристалл яссылыгының үрнәк өслеге белән яхшы ярашканын күрсәтә.
SEM, Раман спектроскопиясе, XPS һәм XRD нәтиҗәләре буенча, BS-NGF / Ni сыйфаты FS-NGF / Ni белән бер үк булган, аның рмс тупаслыгы бераз югарырак булса да (SI2, SI5 рәсемнәр) һәм SI7).
200 нм калынлыктагы полимер терәк катламнары булган SLGлар суда йөзә ала. Бу көйләү гадәттә полимер ярдәмендә дымлы химик тапшыру процессларында кулланыла22,38. Графен һәм графит гидрофобик (дым почмагы 80–90 °) 57. Графенның да, ФЛГның да потенциаль энергия өслекләре шактый яссы, түбән потенциаль энергия (k 1 kJ / мол) өслектә су янының хәрәкәте өчен. Ләкин, графен һәм өч катлам графен белән исәпләнгән үзара тәэсир итү энергиясе якынча - 13 һәм - 15 kJ / мол, 58, бу су белән NGF (300 катлам) белән үзара тәэсирнең графен белән чагыштырганда түбән булуын күрсәтә. Бу NGF фрестандингының су өстендә тигез булып калуының бер сәбәбе булырга мөмкин, шул ук вакытта ирекле графен (суда йөзә) бөдрә һәм таркала. NGF тулысынча суга батканда (нәтиҗәләр тупас һәм яссы NGF өчен бер үк), аның кырлары бөкләнә (Рәсем SI4). Тулы чумдырылган очракта, NGF-су үзара тәэсир итү энергиясе икеләтә диярлек (йөзүче NGF белән чагыштырганда) һәм югары контакт почмагын (гидрофобиклык) саклап калу өчен NGF катламы кырлары көтелә. Стратегияләр урнаштырылган NGF кырларының кысылмасын өчен эшләнергә мөмкин дип саныйбыз. Бер ысул - катнаш эреткечләрне куллану, графит пленкасының дымлану реакциясен модульләштерү өчен.
SLG-ның төрле типтагы субстратларга дымлы химик тапшыру процессы аша күчү турында хәбәр ителгән иде. Гомумән алганда, зәгыйфь ван дер Вальс көчләре графен / графит фильмнар һәм субстратлар арасында бар (SiO2 / Si38,41,46,60, SiC38, Au42, Si баганалары22 һәм углерод фильмнары30, 34 яки сыгылмалы субстратлар булсын). полимимид кебек 37). Монда без бер үк типтагы үзара бәйләнешләр өстенлек итә дип уйлыйбыз. Без монда механик эшкәртү вакытында (вакуум һәм / яки атмосфера шартларында характеристика вакытында яки саклау вакытында) тәкъдим ителгән субстратларның берсенә дә зарар яки суырту күзәтмәдек (мәсәлән, рәсем 2, SI7 һәм SI9). Моннан тыш, без NGF / SiO2 / Si үрнәгенең төп дәрәҗәсенең XPS C 1 s спектрында SiC иң югары ноктасын күзәтмәдек (4 нче рәсем). Бу нәтиҗәләр NGF белән максатлы субстрат арасында химик бәйләнеш юклыгын күрсәтә.
Алдагы бүлектә, "FS- һәм BS-NGF полимерсыз күчү", без NGFның никель фольгасының ике ягында да үсә алуын күрсәттек. Бу FS-NGFлар һәм BS-NGFлар өслекнең тупаслыгы ягыннан охшаш түгел, бу безне һәр төр өчен иң кулай кушымталарны тикшерергә этәрде.
FS-NGFның ачыклыгын һәм йомшак өслеген исәпкә алып, без аның җирле структурасын, оптик һәм электр үзлекләрен җентекләп өйрәндек. Полимер күчермичә FS-NGF структурасы һәм структурасы электрон микроскопия (TEM) күзәтү һәм сайланган өлкә электрон дифракция (SAED) үрнәге анализы белән характерланган. Тиешле нәтиҗәләр 5 нче рәсемдә күрсәтелгән. Түбән зурайту планар TEM тасвирламасы төрле электрон контраст характеристикалары булган NGF һәм FLG өлкәләренең булуын ачыклады, ягъни караңгы һәм яктырак өлкәләр (5а рәсем). Фильм NGF һәм FLGның төрле регионнары арасында яхшы механик бөтенлекне һәм тотрыклылыкны күрсәтә, яхшы каплану һәм бернинди зыян да, җимерү дә юк, бу шулай ук SEM (3 нче рәсем) һәм югары TEM тикшеренүләре белән расланган (5c-e). Аерым алганда, 5 нче рәсемдә күпер структурасы аның иң зур өлешендә күрсәтелә (5d рәсемдә кара нокталы ук белән билгеләнгән позиция), ул өчпочмак формасы белән характерлана һәм киңлеге 51 тирәсе булган графен катламыннан тора. Планнар арасы 0,33 ± 0.01 нм булган композиция иң тар төбәктә берничә графен катламына кадәр киметелә (5 нче рәсемдә каты кара укның ахыры).
Углеродлы бакыр челтәрдә полимерсыз NiAG үрнәгенең планар TEM образы: (а, б) Түбән зурлау TEM рәсемнәре, шул исәптән NGF һәм FLG өлкәләре, (ce) панель-а һәм панель-бдагы төрле төбәкләрнең зурлау зурлыгы. бер үк төсле билгеләнгән уклар. A һәм c панельләрендәге яшел уклар нур тигезләү вакытында зыянның түгәрәк өлкәләрен күрсәтәләр. (f - i) a-c панельләрдә төрле төбәкләрдәге SAED үрнәкләре зәңгәр, циан, кызгылт сары һәм кызыл түгәрәкләр белән күрсәтелә.
5c рәсемдәге тасма структурасы графит такталарның вертикаль юнәлешен күрсәтә (бу фильм буйлап нанофольдлар барлыкка килү аркасында булырга мөмкин (5с рәсемгә кертелгән) артык компенсацияләнмәгән кыру стрессы аркасында 30,61,62 . Nanгары резолюцияле TEM астында, бу нанофольдлар 30 NGF өлкәсенең башка кристаллографик юнәлешен күрсәтәләр; графит тактасының базаль самолетлары фильмның калган өлеше кебек горизонталь түгел, вертикаль юнәлештә юнәлтелгән (5с рәсемдә урнаштыру). Нәкъ шулай ук, FLG өлкәсе вакыт-вакыт 5б, 5e рәсемнәрендә түбән һәм урта зурлыкта күренгән сызыклы һәм тар тасмага охшаган катламнарны күрсәтәләр (зәңгәр уклар белән билгеләнгән). 5e рәсемдәге инсетта FLG секторында ике һәм өч катлы графен катламнарының булуын раслый (планнар арасы 0,33 ± 0.01 нм), бу безнең алдагы нәтиҗәләр белән яхшы килешә30. Өстәвенә, полимерсыз NGFның SEM рәсемнәре бакыр челтәрләргә күмелгән углерод пленкалары белән күчерелгән (иң югары TEM үлчәүләрен ясаганнан соң) SI9 рәсемендә күрсәтелгән. Яхшы асылган FLG өлкәсе (зәңгәр ук белән билгеләнгән) һәм SI9f рәсемендәге сынган төбәк. Зәңгәр ук (күчерелгән NGF читендә), FLG өлкәсенең полимерсыз тапшыру процессына каршы тора алуын күрсәтү өчен, белә торып тәкъдим ителә. Йомгаклап әйткәндә, бу рәсемнәр өлешчә туктатылган NGF (FLG өлкәсен дә кертеп) TEM һәм SEM үлчәүләре вакытында каты вакуумга тәэсир иткәннән соң да механик бөтенлекне саклыйлар (SI9 рәсем).
НГФның искиткеч яссылыгы аркасында (5а рәсемне кара), SAED структурасын анализлау өчен [0001] домен күчәре буенча флэкларны юнәлтү кыен түгел. Фильмның җирле калынлыгына һәм урнашуына карап, электрон дифракцияне өйрәнү өчен берничә кызыклы төбәк (12 балл) билгеләнде. 5а - c рәсемнәрендә бу типик регионнарның дүртесе төсле түгәрәкләр белән күрсәтелә һәм билгеләнә (зәңгәр, циан, кызгылт сары, кызыл кодлы). SAED режимы өчен 2 һәм 3 нче рәсемнәр. 5f һәм g рәсемнәр 5 һәм 5 нче рәсемнәрдә күрсәтелгән FLG өлкәсеннән алынган, 5б һәм с рәсемнәрендә күрсәтелгәнчә. Аларның борылган графенасына охшаган алты почмаклы структурасы бар. Аерым алганда, 5f рәсемдә [0001] зона күчәренең бер үк ориентациясе булган, 10 ° һәм 20 ° ка әйләнгән өч өстән ясалган үрнәк күрсәтелә, бу өч пар (10-10) чагылышның почмак туры килмәве белән раслана. Шулай ук, 5г рәсемдә 20 ° ка әйләнгән ике өстән ясалган алты почмаклы үрнәк күрсәтелә. ФЛГ өлкәсендә ике-өч төркем алты почмаклы үрнәкләр бер-берсенә карата әйләнгән 33 самолетта яки самолеттан тыш графен катламнарыннан барлыкка килергә мөмкин. Моннан аермалы буларак, 5h рәсемендәге электрон дифракция үрнәкләре (5а рәсемдә күрсәтелгән NGF өлкәсенә туры килә), зур материал калынлыгына туры килгән гомуми югары нокта дифракция интенсивлыгы белән бер [0001] үрнәк күрсәтәләр. Бу SAED модельләре 64 индекс буенча күрсәтелгәнчә, FLG белән чагыштырганда калынрак график структурага һәм арадаш ориентациягә туры килә. ФЛГ өлкәсендә аеруча игътибарга лаек нәрсә - кристаллларның билгеле бер дәрәҗәдә самолетта яки самолеттан тыш бозылуы. Ни 64 фильмда үскән NGF өчен самолетта әйләнү почмаклары булган графит кисәкчәләре / катламнары 17 °, 22 ° һәм 25 ° булган. Бу тикшеренүдә күзәтелгән әйләнү почмагы кыйммәтләре борылган BLG63 графенасы өчен элек күзәтелгән әйләнү почмакларына туры килә (± 1 °).
NGF / SiO2 / Si электр үзлекләре 10 × 3 мм2 мәйданда 300 К үлчәде. Электрон йөртүче концентрациясе, хәрәкәтчәнлеге һәм үткәрүчәнлеге кыйммәтләре тиешенчә 1,6 × 1020 см-3, 220 см2 В-1 С-1 һәм 2000 С-см-1. Безнең NGFның хәрәкәтчәнлеге һәм үткәрүчәнлек кыйммәтләре табигый графит2 белән охшаш һәм коммерцияле югары юнәлешле пиролитик графитка караганда югарырак (3000 ° C җитештерелгән) 29. Күзәтелгән электрон ташучы концентрация кыйммәтләре югары температурада (3200 ° C) полимимид таблицалар 20 ярдәмендә әзерләнгән микрон калын графит фильмнар өчен күптән түгел хәбәр ителгәннәргә караганда (7,25 × 10 см-3) зуррак ике заказ.
Без шулай ук кварц субстратларына күчерелгән FS-NGF буенча UV-күренгән трансмитанс үлчәүләрен башкардык (6-нчы рәсем). Нәтиҗә ясалган спектр 350–800 нм диапазонында 62% диярлек даими тапшыруны күрсәтә, бу NGF күренеп торган яктылыкка транспренталь булуын күрсәтә. Чынлыкта, "КАУСТ" исемен үрнәкнең санлы фотосурәтендә 6б рәсемдә күрергә мөмкин. NGF нанокристалл структурасы SLGныкыннан аерылып торса да, катламнар саны өстәмә катламга 2,3% тапшыру югалту кагыйдәсен кулланып бәяләнергә мөмкин65. Бу бәйләнеш буенча, 38% тапшыру югалтуы булган графен катламнары саны 21. grownскән NGF нигездә 300 графен катламыннан тора, ягъни якынча 100 нм калынлыкта (1 нче рәсем, SI5 һәм SI7). Шуңа күрә, күзәтелгән оптик ачыклык FLG һәм MLG өлкәләренә туры килә дип уйлыйбыз, чөнки алар фильм буенча таратыла (1, 3, 5 һәм 6с рәсемнәр). Aboveгарыдагы структур мәгълүматларга өстәп, үткәрүчәнлек һәм ачыклык шулай ук күчерелгән NGFның кристалл сыйфатын раслый.
а) UV-күренгән трансмитанс үлчәве, б) вәкил үрнәге ярдәмендә кварцка типик NGF күчү. в) НГФ схемасы (кара тартма) тигез бүленгән FLG һәм MLG өлкәләре белән үрнәк буенча соры очраклы формалар белән билгеләнгән (1 нче рәсемне кара) (100 μm2 өчен якынча 0,1-3% мәйдан). Диаграммадагы очраклы формалар һәм аларның зурлыклары иллюстратив максатларда гына, фактик өлкәләргә туры килми.
CVD үстергән тонык NGF моңа кадәр ялан кремний өслекләренә күчерелгән һәм кояш күзәнәкләрендә кулланылган15,16. Нәтиҗә ясалган энергия конверсия эффективлыгы (PCE) 1,5% тәшкил итә. Бу NGFлар актив кушылма катламнары, корылма транспорт юллары, үтә күренмәле электродлар кебек күп функцияләрне башкара15,16. Ләкин, графит фильмы бертөрле түгел. Алга таба оптимизация графит электродның таблицаның каршылыгын һәм оптик тапшыруын җентекләп контрольдә тотып кирәк, чөнки бу ике үзенчәлек кояш күзәнәгенең PCE кыйммәтен билгеләүдә мөһим роль уйный15,16. Гадәттә, графен фильмнары 97,7% күренеп торган яктылыкка ачык, ләкин 200-3000 охм / кв.16 каршылыкка ия. Графен пленкаларының өслеккә каршылыгы катламнар санын арттырып (графен катламнарын күп күчерү) һәм HNO3 (~ 30 Ом / кв.) 66 белән допинг ярдәмендә киметергә мөмкин. Ләкин, бу процесс озак вакыт ала һәм төрле тапшыру катламнары һәрвакыт яхшы элемтәдә тормыйлар. Безнең алгы ягыбыз NGF үткәрүчәнлеге 2000 S / см, пленка каршылыгы 50 охм / кв. һәм 62% ачыклык, аны үткәргеч каналлар яки кояш күзәнәкләрендәге электродлар өчен альтернатива итәләр15,16.
BS-NGF структурасы һәм өслек химиясе FS-NGF белән охшаш булса да, аның тупаслыгы башка ("FS- һәм BS-NGF үсеше"). Элегерәк без газ сенсоры буларак ультра-нечкә пленка графит22 куллана идек. Шуңа күрә, без BS-NGF газны сизү биремнәре өчен куллану мөмкинлеген сынадык (SI10 рәсем). Беренчедән, BS-NGFның мм2 размерлы өлешләре диодлашкан электрод сенсор чипына күчерелде (SI10a-c рәсем). Чипның җитештерү детальләре моңа кадәр хәбәр ителгән иде; аның актив сизгер мәйданы 9 мм267. SEM рәсемнәрендә (SI10b һәм c рәсем), төп алтын электрод NGF аша ачык күренә. Яңадан, барлык үрнәкләр өчен бердәм чип каплауга ирешелгәнен күрергә мөмкин. Төрле газларның газ сенсоры үлчәүләре язылган (SI10d рәсем) (SI11 рәсем) һәм нәтиҗәдә җавап ставкалары Рәсемнәрдә күрсәтелгән. SI10g. Башка комачаулаган газлар белән, мөгаен, SO2 (200 ppm), H2 (2%), CH4 (200 ppm), CO2 (2%), H2S (200 ppm) һәм NH3 (200 ppm). Бер сәбәп - NO2. газның электрофилик табигате22,68. Графен өслегендә adsorbed булганда, ул электроннарның система аша үзләштерүен киметә. BS-NGF сенсорының җавап вакыты мәгълүматларын моңа кадәр бастырылган сенсорлар белән чагыштыру SI2 таблицасында китерелгән. UV плазмасы, O3 плазмасы яки җылылык (50-150 ° C) кулланып NGF сенсорларын реактивлаштыру механизмы дәвам итә, идеаль рәвештә урнаштырылган системалар кертү белән.
CVD процессы вакытында, графен үсеше катализатор субстратының ике ягында була41. Ләкин, BS-графен гадәттә тапшыру процессында чыгарыла41. Бу тикшеренүдә без күрсәтәбез, югары сыйфатлы NGF үсеше һәм полимерсыз NGF тапшыру катализатор ярдәменең ике ягында да була ала. BS-NGF FS-NGF (~ 100 nm) белән чагыштырганда нечкә (~ 80 nm), һәм бу аерма BS-Ni прекурсор газ агымына турыдан-туры тәэсир итмәве белән аңлатыла. Без шулай ук NiAR субстратының тупаслыгы NGF тупаслыгына йогынты ясавын ачыкладык. Бу нәтиҗәләр шуны күрсәтә: FS-NGF үскән планар графен өчен прекурсор материал (эксфолиация ысулы белән 70) яки кояш күзәнәкләрендә үткәргеч канал буларак кулланылырга мөмкин15,16. Моннан аермалы буларак, BS-NGF газны ачыклау өчен кулланылачак (SI9 рәсем) һәм, мөгаен, энергия саклау системалары өчен кулланылачак, монда аның өслеге тупаслыгы файдалы булыр.
Aboveгарыда әйтелгәннәрне исәпкә алып, хәзерге эшне CVD үстергән һәм никель фольгасы ярдәмендә элек бастырылган графит фильмнары белән берләштерү файдалы. 2-нче таблицада күренгәнчә, без кулланган югары басым реакция вакытын (үсеш этапын) хәтта чагыштырмача түбән температурада (850–1300 ° C диапазонында) кыскартты. Без шулай ук гадәттәгегә караганда зуррак үсешкә ирештек, киңәю потенциалын күрсәтәбез. Уйланырлык башка факторлар бар, аларның кайберләрен без таблицага керттек.
Ике яклы югары сыйфатлы NGF каталитик CVD никель фольгасында үстерелде. Традицион полимер субстратларны бетереп (мәсәлән, CVD графенасында кулланылганнар), без NGF (никель фольгасының арткы һәм алгы ягында үскән) төрле процесс-критик субстратларга чиста һәм кимчелексез дым күчерүгә ирешәбез. Шунысы игътибарга лаек, NGF FLG һәм MLG өлкәләрен үз эченә ала (гадәттә 100 µm2 өчен 0,1% - 3%), алар калын фильмга структур яктан яхшы интеграцияләнгән. Планар TEM күрсәтә, бу төбәкләр ике-өч графит / графен кисәкчәләреннән тора (кристалл яки катлам), аларның кайберләренең әйләнү туры килмәве 10–20 °. FLG һәм MLG регионнары FS-NGF күренгән яктылыкка ачыклыгы өчен җаваплы. Арткы таблицаларга килгәндә, алар алгы битләргә параллель йөртелергә мөмкин, һәм күрсәтелгәнчә, функциональ максат булырга мөмкин (мәсәлән, газ табу өчен). Бу тикшеренүләр сәнәгать масштабындагы CVD процессларында калдыкларны һәм чыгымнарны киметү өчен бик файдалы.
Гомумән алганда, CVD NGFның уртача калынлыгы (түбән һәм күп катламлы) графен белән сәнәгать (микрометр) графит таблицалары арасында. Аларның кызыклы үзенчәлекләре диапазоны, без аларны җитештерү һәм ташу өчен эшләгән гади ысул белән берлектә, бу фильмнарны графитның функциональ реакциясен таләп иткән кушымталар өчен аеруча яраклы итә, хәзерге вакытта кулланыла торган энергияне күп таләп итә торган сәнәгать җитештерү процесслары исәбеннән.
25 мм калынлыктагы никель фольга (99,5% чисталык, Goodfellow) коммерция CVD реакторына (Aixtron 4 дюйм BMPro) урнаштырылган. Система аргон белән чистартылды һәм 10-3 мбар төп басымга эвакуацияләнде. Аннары никель фольга урнаштырылды. Ar / H2 (Ни фольгасын 5 минутка алдан ябыштырганнан соң, фольга 500 мбар басымга дучар булды, 900 ° C. НГФ CH4 / H2 агымына (һәрберсе 100 см3) 5 минут эчендә урнаштырылды. Аннары үрнәк 40 ° C / минутта Ar агымын (700 см3) кулланып 700 ° C-тан түбән температурада суытылды.
Ampleрнәкнең өске морфологиясе SEM тарафыннан Zeiss Merlin микроскопы ярдәмендә визуальләштерелгән (1 кВ, 50 пА). Surfaceрнәкнең тупаслыгы һәм NGF калынлыгы AFM ярдәмендә үлчәнде (SPM үлчәме, Брукер). TEM һәм SAED үлчәүләре FEI Titan 80–300 кублы микроскоп ярдәмендә югары яктылык чыгару мылтыгы (300 кВ), FEI Wien тибындагы монохроматор һәм соңгы нәтиҗәләргә ирешү өчен CEOS линза сферик аберрация корректоры ярдәмендә үткәрелде. киңлек резолюциясе 0.09 нм. NGF үрнәкләре яссы TEM картинасы һәм SAED структурасын анализлау өчен углеродлы капланган бакыр челтәрләргә күчерелде. Шулай итеп, күпчелек үрнәк блоклар ярдәмче мембрананың тишекләрендә туктатылган. Күчерелгән NGF үрнәкләре XRD тарафыннан анализланган. Рентген дифракция үрнәкләре порошок дифрактометры ярдәмендә алынган (Брукер, Cu Kα чыганагы белән D2 фазалы күчергеч, 1.5418 Å һәм LYNXEYE детекторы) 3 мм диаметрлы Cu нурланыш чыганагы ярдәмендә алынган.
Берничә Раман ноктасы үлчәү интеграль конфокаль микроскоп ярдәмендә язылды (Альфа 300 RA, WITeC). Термаль эффектлардан саклану өчен, аз дулкынландыргыч көче булган (25%) 532 нм лазер кулланылды. Рентген фотоэлектрон спектроскопиясе (XPS) Kratos Ax Ultra спектрометрында 300 × 700 μm2 үрнәк мәйданда башкарылды, монохроматик Al Kα нурланышын кулланып (hν = 1486,6 eV) 150 В. Резолюция спектры алынган. 160 eV һәм 20 eV тапшыру энергиясе. SiO2'ка күчерелгән NGF үрнәкләре кисәкчәләргә (һәрберсе 3 × 10 мм2) PLS6MW (1,06 μm) йттербиум җепсел лазеры ярдәмендә 30 Ватт бакыр чыбык контактлары (калынлыгы 50 мм) оптик микроскоп астында көмеш паста ярдәмендә ясалган. Электр транспорты һәм зал эффектлары экспериментлары бу үрнәкләрдә 300 К температурада һәм физик үзлекләрне үлчәү системасында Tes 9 Тесланың магнит кыры үзгәрүендә үткәрелде (PPMS EverCool-II, Квант Дизайны, АКШ). Күчерелгән UV спектры Lambda 950 UV спектропотометры ярдәмендә 350–800 нм NGF диапазонында кварц субстратларына һәм кварц белешмә үрнәкләренә күчерелгән.
Химик каршылык сенсоры (үзара бәйләнгән электрод чип) 73 махсус басылган схема тактасына чыбыкланган һәм каршылык вакытлыча алынган. Deviceайланма урнашкан басма схема контакт терминалларына тоташтырылган һәм газ сизү камерасы эченә урнаштырылган. Каршылык үлчәүләре 1 В көчәнешендә чистартылганнан газга кадәр өзлексез сканерланган, аннары яңадан чистартылган. Палата башта азот белән 200 см3 чистартып 1 сәгать эчендә чистартылды, палатада булган барлык аналитикларны, шул исәптән дымны. Аннары индивидуаль аналитиклар N2 цилиндрын ябып 200 см3 шул ук агым тизлегендә палатага әкренләп чыгарылды.
Бу мәкаләнең яңартылган версиясе бастырылды һәм мәкаләнең башындагы сылтама аша кереп була.
Инагаки, М. һәм Канг, Ф. Карбон материаллары Фән һәм техника: нигезләр. Икенче басма редакцияләнде. 2014. 542.
Пирсон, Карбон, Графит, Алмаз һәм Фуллереннар өчен кулланма: Сыйфатлар, эшкәртү һәм куллану. Беренче басма редакцияләнде. 1994, Нью-Джерси.
Tsaай, В. һ.б. Зур мәйданлы күпкатлы графен / графит фильмнар үтә күренмәле нечкә үткәргеч электродлар. кушымта. физика. Райт. 95 (12), 123115 (2009).
Баландин А.А графен һәм наноструктуралы углерод материалларының җылылык үзлекләре. Нат. Мат. 10 (8), 569–581 (2011).
Cheng KY, Brown PW һәм Cahill DG Ни (111) түбән температуралы химик пар парламенты белән үскән графит фильмнарның җылылык үткәрүчәнлеге. реклама. Мат. 3, 16 (2016) интерфейсы.
Хесжедаль, Т. Химик пар парламенты белән графен фильмнарының өзлексез үсеше. кушымта. физика. Райт. 98 (13), 133106 (2011).
Пост вакыты: 23-2024 август